[]
莆田商学院-硅管死区电压约为0.5V
内容版权声明:除非注明,否则皆为本站原创文章。
转载注明出处:
相关推荐
- 日期:2025-12-020莆田商学院-PN结加上电极引线和管壳就形成二极管
- 日期:2025-12-021莆田商学院-二极管具有单向导电性
- 日期:2025-12-022莆田商学院-反向工作峰值电压一般是反向击穿电压的1/2,1/3
- 日期:2025-12-023莆田商学院-二极管导通时,锗管正向压降约为0.2-0.3V
- 日期:2025-12-024莆田商学院-最大整流电流是指二极管长时间使用时允许通过的最大正向平均电流
- 日期:2025-12-025莆田商学院-锗管死区电压约为0.5V
- 日期:2025-12-026莆田商学院-按结构分,二极管的种类有?
- 日期:2025-12-027莆田商学院-当二极管外加正向电压很低时正向电流很小,该电压称为
- 日期:2025-12-028莆田商学院-当二极管外加反向电压很高时,反向电流突然增大,则该电压称为
- 日期:2025-12-029莆田商学院-硅晶体掺入三价元素后会形成P型半导体
- 日期:2025-12-0210莆田商学院-半导体中同时存在电子导电和空穴导电。
- 日期:2025-12-0211莆田商学院-共价键中的电子称为自由电子
- 日期:2025-12-0212莆田商学院-本征半导体中,自由电子和空穴总是成对产生又不断复合
- 日期:2025-12-0213莆田商学院-本征半导体晶体结构中,每一个原子与相邻四个原子结合,构成四个共价键
- 日期:2025-12-0214莆田商学院-半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间
- 日期:2025-12-0215莆田商学院-本征半导体中的空穴和自由电子数目相等
- 日期:2025-12-0216莆田商学院-本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构的半导体
- 日期:2025-12-0217莆田商学院-本征半导体掺入微量杂质后,导电能力仍保持不变
- 日期:2025-12-0218莆田商学院-P型半导体自由电子是多数载流子空穴是少数载流子
- 日期:2025-12-0219莆田商学院-硅晶体掺入五价元素后会形成N型半导体